| Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应 |
| |
| 引用本文： | 杨慧,张正选,张恩霞.Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应[J].功能材料与器件学报,2007,13(3):233-236. |
| |
| 作者姓名： | 杨慧 张正选 张恩霞 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
| |
| 摘 要： | 为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应.试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响.研究结果表明,合适的改性工艺能有效提高材料抗总剂量辐照效应的能力,pseudo-MOS方法在大大缩短SOI材料改性周期的基础上,能准确、快捷地对材料的总剂量辐照效应进行表征.
|
| 关 键 词： | SIMOX SOI 总剂量辐照效应 Pseudo-MOS |
| 文章编号： | 1007-4252（2007）03-0233-04 |
| 修稿时间： | 2006-05-18 |
Total -dose radiation effect for SIMOX SOI materials with the pseudo- MOS method |
| |
| YANG Hui,ZHANG Zheng-xuan,ZHANG En-xia.Total -dose radiation effect for SIMOX SOI materials with the pseudo- MOS method[J].Journal of Functional Materials and Devices,2007,13(3):233-236. |
| |
| Authors: | YANG Hui ZHANG Zheng-xuan ZHANG En-xia |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics of Shanghai Institute of Micro and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China system |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | SIMOX SOI total - dose radiation effect Pseudo - MOS |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
