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| 观测InGaAsP激光器的俄歇复合及载流子泄漏 | |
| 引用本文： | C.B.箦,屈积建.观测InGaAsP激光器的俄歇复合及载流子泄漏[J].半导体光电,1983(1). |
| 作者姓名： | C.B.箦 屈积建 |
| 作者单位： | GTE公司 |
| 摘 要： | 俄歇复合和载流子泄漏已作为InGaAsP激光器和LED_s的温度灵敏性高和内量子效率低的原因而被提出。本文发表了通过测量载流子寿命和自发辐射率而获得辐射和俄歇复合率以及泄漏电流。发现俄歇复合率和泄漏电流强烈地依赖于掺杂程度。使用的器件是1.3μm InGaAsP双异质结激光器,其氧化物隔离接触条100μm,有源 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |