| 石墨炉原子吸收光谱法测定高纯阴极铜中痕量硅的研究 |
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| 引用本文： | 闻莺,刘世良,高介平. 石墨炉原子吸收光谱法测定高纯阴极铜中痕量硅的研究[J]. 冶金分析, 2003, 23(4): 1-1 |
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| 作者姓名： | 闻莺 刘世良 高介平 |
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| 作者单位： | 北京矿冶研究总院,北京矿冶研究总院,北京矿冶研究总院 北京100044,北京100044,北京100044 |
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| 摘 要： | 研究了用石墨炉原子吸收光谱法测定高纯阴极铜中痕量硅的方法。采用钨涂层石墨管和氟化钾作基体改进剂双重手段阻止了碳化硅的生成 ,解决了石墨炉测硅时生成的碳化硅干扰准确测定的难题。方法灵敏度为 5.8× 10 - 1 1 g/1%吸收 ,硅测定范围为 0～ 15.0 μg/L ,对 10 0 μg/L硅标准溶液重复测定 10次 ,其相对标准偏差为 4.41%。对含 2 g/L铜的高纯铜溶液测得硅回收率为 98%。
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| 关 键 词： | 石墨炉原子吸收光谱法 高纯铜 硅 |
| 文章编号： | 1000-7571(2003)04-0018-03 |
| 修稿时间： | 2003-01-13 |
Study on the determination of trace silicon in high purity copper cathode by GFAAS |
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| WEN Ying ,LIU Shi liang,GAO Jie ping. Study on the determination of trace silicon in high purity copper cathode by GFAAS[J]. Metallurgical Analysis, 2003, 23(4): 1-1 |
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| Authors: | WEN Ying LIU Shi liang GAO Jie ping |
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| Affiliation: | WEN Ying *,LIU Shi liang,GAO Jie ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GFAAS high purity copper silicon |
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