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准连续半导体激光高频调制技术研究
引用本文:王卫鹏,徐英添,邹永刚,徐莉,张贺,李洋,赵鑫,马晓辉.准连续半导体激光高频调制技术研究[J].长春理工大学学报,2016,39(5):1-4.
作者姓名:王卫鹏  徐英添  邹永刚  徐莉  张贺  李洋  赵鑫  马晓辉
作者单位:长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
基金项目:吉林省重大科技成果转化项目(20130303017GX),吉林省重点科学技术研究项目(20140204028GX)
摘    要:介绍了一种由信号放大电路、电流调制电路、过流保护电路、具有慢启动功能的直流偏置电路高度集成的半导体激光高频调制系统,此高频调制系统采用了结构简单的直接调制方式,这种调制方式是利用频率可调的调制信号去控制半导体激光器发射的激光光强,从而实现半导体激光高频调制.设计了半导体激光高频调制驱动输出的调制电流幅度为9.1A,调制电流频率达到了100MHz,直流偏置在1A内连续可调,实现了脉冲宽度均匀与非均匀两种情况,在均匀情况下占空比达到了50%.

关 键 词:半导体激光器  脉冲宽度  高频调制  直流偏置

High Frequency Modulation Technology of Quasi-continuous Semiconductor Laser
WANG Weipeng,XU Yingtian,ZOU Yonggang,XU Li,ZHANG He,LI Yang,ZHAO Xin,MA Xiaohui.High Frequency Modulation Technology of Quasi-continuous Semiconductor Laser[J].Journal of Changchun University of Science and Technology,2016,39(5):1-4.
Authors:WANG Weipeng  XU Yingtian  ZOU Yonggang  XU Li  ZHANG He  LI Yang  ZHAO Xin  MA Xiaohui
Abstract:In this article, a high frequency modulation system of semiconductor laser is introduced, which is composed of a signal magnifying circuit,a current modulation circuit,an over current protection circuit and a DC bias circuit with slow start function. The high frequency modulation system of semiconductor laser uses a simple structure of the direct modulation,the modulation method is used to modulate laser intensity of semiconductor laser by using a modulated sig-nal with adjustable frequency,we can achieve the high frequency modulation of semiconductor laser. Design of the sim-ulation achive a result. The output current of semiconductor laser driver is 9.1A, the frequency of output current is 100MHz. The bias current can be continuously regulated within 1A. Two cases of uniform pulse width and non-uni-form pulse width are realized. In uniform cases,the duty ratio of the pulse current is 50%.
Keywords:semiconductor laser  pulse duration  high frequency modulation  bias of direct current
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