基于MCNP程序的铅屏蔽层对γ射线屏蔽性能研究

为了计算不同厚度铅对不同能量γ射线的屏蔽性能，本工作建立了两种模型，然后使用MCNP程序对这两种模型进行模拟计算，进而得到了铅的屏蔽性能。计算结果表明：相同厚度的铅屏蔽层对低能γ射线的屏蔽能力强于高能，随着γ射线能量的增大，屏蔽能力呈下降趋势。作为验证，本工作计算了单向源、面源、各向同性面源情况下铅的屏蔽性能，还通过改变PHYS卡计算铅的屏蔽性能，得到的结果与上述结论一致。