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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
基于MCNP程序的铅屏蔽层对γ射线屏蔽性能研究
作者姓名:
郭广水
曾心苗
周鹏
秦培中
孟宪芳
王强
作者单位:
北京市射线应用研究中心,北京 ;100012
基金项目:
北京市科学技术研究院萌芽项目资助
摘 要:
为了计算不同厚度铅对不同能量γ射线的屏蔽性能,本工作建立了两种模型,然后使用MCNP程序对这两种模型进行模拟计算,进而得到了铅的屏蔽性能。计算结果表明:相同厚度的铅屏蔽层对低能γ射线的屏蔽能力强于高能,随着γ射线能量的增大,屏蔽能力呈下降趋势。作为验证,本工作计算了单向源、面源、各向同性面源情况下铅的屏蔽性能,还通过改变PHYS卡计算铅的屏蔽性能,得到的结果与上述结论一致。
关 键 词:
MCNP程序
γ射线
衰减倍数
铅
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