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| 硅-硅键合界面氧化层模型与杂质分布的模拟 | |
| 引用本文： | 陈新安,黄庆安,刘肃,李伟华.硅-硅键合界面氧化层模型与杂质分布的模拟[J].固体电子学研究与进展,2006,26(1):134-138. |
| 作者姓名： | 陈新安 黄庆安 刘肃 李伟华 |
| 作者单位： | 1. 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096;兰州大学微电子研究所,兰州,73000 2. 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 3. 兰州大学微电子研究所,兰州,73000 |
| 基金项目： | 国家科技攻关项目 , 国家杰出青年科学基金 |
| 摘 要： | 硅-硅直接键合的硅片界面存在一层很薄的氧化层,其化学成分是非化学计量比的氧化物S iOw(0 |
| 关 键 词： | 硅-硅直接键合 本征氧化物 界面氧化层模型 杂质分布 |
| 文章编号： | 1000-3819(2006)01-134-05 |
| 收稿时间： | 2004-03-12 |
| 修稿时间： | 2004-06-01 |
The Model of Interfacial Oxide and the Simulation of Impurity Distribution of Silicon Direct Bonding |
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| CHEN Xin'an,HUANG Qing'an,LIU Su,LI Weihua.The Model of Interfacial Oxide and the Simulation of Impurity Distribution of Silicon Direct Bonding[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2006,26(1):134-138. | |
| Authors: | CHEN Xin'an HUANG Qing'an LIU Su LI Weihua |
| Affiliation: | Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, Southeast University, Nanjing, 210096, CHN;2.Institute of Microelectronics, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, CHN |
| Abstract: | There is a very thin layer of native oxide between the directly bonded silicon wafers.It is composed of SiO_w(0 |
| Keywords: | silicon direct bonding native oxide model of interracial oxide impurity distribution |
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