| 离子注入对CuxS薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 屈晓声,李德杰. 离子注入对CuxS薄膜的影响[J]. 功能材料, 2000, 31(5): 556-557 |
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| 作者姓名： | 屈晓声 李德杰 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系,北京,100084 |
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| 摘 要： | 讨论了ＣｕｘＳ薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响，铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现氮离子束注入引起了ＣｕｘＳ薄膜中的铜与硫成分的改变，明显观察到样品中的铜对硫化的值随注入了子束强度的增加而变大。经过透射光谱的分析对比证实了确有新的ＣｕｘＳ状态出现。
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| 关 键 词： | CuxS薄膜 离子注入 相变 透射率 |
| 文章编号： | 1001-9731(2000)05-0556-02 |
| 修稿时间： | 1999-06-01 |
Effect of Ions Beam Implantation on CuxS Thin Films |
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| QU Xiaosheng,LI Dejie. Effect of Ions Beam Implantation on CuxS Thin Films[J]. Journal of Functional Materials, 2000, 31(5): 556-557 |
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| Authors: | QU Xiaosheng LI Dejie |
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| Affiliation: | QU Xiaosheng ,LI Dejie (Department of Electronic Engineering,Tsinghua University,Beijing,100084,China) |
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| Abstract: | TheimplantationtechniquehasbeenintroducedtoCuxSthinfilmspreparedbytwiceevaporationdeposition .NitrogenionsbeamcauseavariationofcopperandsulfurcompositionintheCuxSfilms .Itisshowedthattheradioofcoppertosulfurinthesampleisenhanced withintensionofenteringtheCuxSfilms .Thecomparisonofopticaltransmissionbetweenoriginalandimplantedsampledemonstratesa newphasetoemergy . |
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| Keywords: | CuxSthinfilms ionimplantation phasetransposition transmissivity |
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