| 高效率1.06 μm波段大功率半导体激光列阵模块 |
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| 引用本文： | 尧舜,套格套,刘云,王翔鹏,姚迪,王立军. 高效率1.06 μm波段大功率半导体激光列阵模块[J]. 半导体光电, 2006, 27(3): 260-262 |
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| 作者姓名： | 尧舜 套格套 刘云 王翔鹏 姚迪 王立军 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态开放实验室,吉林,长春,130033;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态开放实验室,吉林,长春,130033 |
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| 摘 要： | 采用 InGaAs/InGaAsP应变量子阱折射率分别限制(SCH)宽波导结构结合优化欧姆接触减小串联电阻的方法,制作出高效率大功率1.06 μm波段半导体激光列阵模块.激光芯片宽1 cm,腔长1 200 μm,条宽200 μm,填充密度为50%;室温连续输出功率为50.2 W时光电转换效率达到56.9%.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 高功率 列阵模块 转换效率 波段 大功率 半导体激光 列阵模块 Efficiency High Module Array 光电 输出功率 连续 室温 填充密度 腔长 光芯片 制作 方法 串联电阻 欧姆接触 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)03-0260-03 |
| 收稿时间： | 2005-09-02 |
| 修稿时间： | 2005-09-02 |
High Efficiency 1.06 μm Wavelength High Power Diode Array Module |
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| YAO Shun,TAO Ge-tao,LIU Yun,WANG Xiang-peng,YAO Di,WANG Li-jun. High Efficiency 1.06 μm Wavelength High Power Diode Array Module[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2006, 27(3): 260-262 |
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| Authors: | YAO Shun TAO Ge-tao LIU Yun WANG Xiang-peng YAO Di WANG Li-jun |
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| Affiliation: | 1. Key Lab. of Excited State Processes, Changchtm Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130023, CHN; 2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor laser high power array module |
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