通过多晶硅选择氧化同时形成层间绝缘膜和漏源区

本文报导,成功地研究出了可以同时形成MOS LSI的层间绝缘膜及漏、源区域以及多晶硅栅长度与有效沟道长度差小的加工技术。漏、源区的掺杂剂是用磷。这是一种利用使磷通过SiO_2由多晶硅扩散到硅衬底上去的性质。为研究此工艺的实用性,将试制8位微处理机。