| 集成电路电磁辐射与数据相关性研究 |
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| 引用本文： | 常小龙,丁国良,尹文龙,王创伟.集成电路电磁辐射与数据相关性研究[J].计算机技术与发展,2010,20(7):156-159. |
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| 作者姓名： | 常小龙 丁国良 尹文龙 王创伟 |
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| 作者单位： | 军械工程学院,计算机工程系,河北,石家庄050003 |
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| 摘 要： | 为了减少集成电路密码芯片工作时的电磁信息泄漏,设计具有防护能力的加密芯片.在研究CM06集成电路电磁辐射原理的基础上,分析了电磁辐射产生数据相关性的机理.以电偶极子为模型,简化了电磁计算的方法,对基本的CMOS电路工作过程进行分析.采用TSMC 0.18工艺设计CMOS反相器,并对该反向器进行电磁辐射仿真.建立评估模型并对金属层电磁辐射的信息泄漏进行评估.结果表明,电路工作时NMOS金属层、PMOS金属层和输出线的金属层产生的电磁辐射均会导致信息泄漏,长度相等时,输出线金属层的电磁信息泄漏更强.
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| 关 键 词： | CMOS集成电路 金属层 电磁信息泄漏 数据相关性 电偶极子 |
Research on Correlation Between ICs Electromagnetic Radiation and Data |
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| CHANG Xiao-long,DING Guo-liang,YIN Wen-long,WANG Chuang-wei.Research on Correlation Between ICs Electromagnetic Radiation and Data[J].Computer Technology and Development,2010,20(7):156-159. |
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| Authors: | CHANG Xiao-long DING Guo-liang YIN Wen-long WANG Chuang-wei |
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