| 259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵 |
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| 引用本文： | 刘素平,仲莉,张海燕,王翠鸾,冯小明,马骁宇.259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵[J].半导体学报,2008,29(12):2335-2339. |
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| 作者姓名： | 刘素平 仲莉 张海燕 王翠鸾 冯小明 马骁宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 863国家高技术研究发展计划，项目编号2006AA030101 |
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| 摘 要： | 通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺，采用低压金属有机化学气相沉积法（LP-MOCVD）生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP单量子阱分别限制异质结激光器材料，并利用该材料制备了填充因子为50%的1cm宽线列阵激光巴条，用扫描电子显微镜（SEM）分析了隔离槽的形貌. 在准连续工作条件（200μs脉宽，2%占空比）下，封装在被动制冷标准铜热沉上的器件在测试设备允许的最大驱动电流300A时可获得259W的输出功率，未观察到腔面光学灾变性损伤的发生. 最高功率转换效率在工作电流为104A时达52%, 此时输出功率为100W，激射光谱的中心波长为807.8nm，半高宽为2.4nm，快慢轴远场发散角分别为29.3°和7.5°.
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| 关 键 词： | 激光二极管 列阵 准连续 无铝 |
| 收稿时间： | 3/25/2008 1:37:47 AM |
| 修稿时间： | 8/2/2008 3:18:06 AM |
259W QCW Al-Free 808nm Linear Laser Diode Arrays |
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| Liu Suping,Zhong Li,Zhang Haiyan,Wang Cuiluan,Feng Xiaoming and Ma Xiaoyu.259W QCW Al-Free 808nm Linear Laser Diode Arrays[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(12):2335-2339. |
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| Authors: | Liu Suping Zhong Li Zhang Haiyan Wang Cuiluan Feng Xiaoming and Ma Xiaoyu |
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| Affiliation: | National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | Through optimizing the tensile-strained single quantum well(SQW)epitaxial structure and introducing double-channel deep isolation groove etching technologies of linear laser diode arrays,GaAsP/GaInP/AlGaInP SQW separate confinement laser emitting structures are grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition and 1cm-wide laser bars with 50% fill factor are fabricated.The cross sections of the channels are analyzed using scanning electron microscope.Mounted on passively cooled copper heat sinks... |
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| Keywords: | laser diode array quasi-QW Al-free |
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