首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
SiC材料氧化行为研究进展
引用本文:
周秋生,熊翔.SiC材料氧化行为研究进展[J].材料科学与工程,2000,18(3):110-113.
作者姓名:
周秋生
熊翔
作者单位:
[1]中南工业大学冶金科学与工程系 [2]中南工业大学粉末冶金国家重点实验室
摘 要:
本文对各种纯SiC及含有少量杂质的SiC在不同条件下的氧化行为进行了全面系统的概述。对今后SiC氧化行为的研究具有一定的指导意义。
关 键 词:
氧化
碳化硅材料
氧化过程
氧化速度
本文献已被
维普
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号