| GaAs窗口晶体位错分布及其对红外透射的影响 |
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| 引用本文： | 黎建明,屠海令,郑安生.GaAs窗口晶体位错分布及其对红外透射的影响[J].矿业研究与开发,2003(Z1). |
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| 作者姓名： | 黎建明 屠海令 郑安生 |
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| 作者单位： | [1]国家半导体材料工程研究中心北京有色金属研究总院 [2]北京 |
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| 摘 要： | LEC法生长的轻掺铬高阻GaAs 晶体熔融KOH腐蚀坑SEM观察结果表明,轻掺Cr-GaAs晶体位错的径向分布呈“W”型。这是由于GaAs单晶生长过程中,晶体中的热弹应力的“W”分布和位错大量增殖时所需的临界应力共同作用的结果。红外透射测量结果表明:当位错密度不太高时,位错引入的电子态的体密度低,位错的径向分布对红外透过率的影响很小;当位错密度很高时,其对红外透过率的影响不可忽视。
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| 关 键 词： | GaAs晶体 SEM 位错分布 红外透射 |
Study of Dislocation Distribution Across GaAs Window Crystal and Effect of EPD on Infrared Transmission |
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| Li Jian-ming,Tu Hai-ling,Zheng An-sheng.Study of Dislocation Distribution Across GaAs Window Crystal and Effect of EPD on Infrared Transmission[J].Mining Research and Development,2003(Z1). |
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| Authors: | Li Jian-ming Tu Hai-ling Zheng An-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs Crystal SEM dislocations distribution infrared transmission |
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