| 采用场板和B+离子注入边缘终端技术的Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管 |
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| 引用本文： | 陈刚,李哲洋,柏松,任春江.采用场板和B+离子注入边缘终端技术的Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管[J].半导体学报,2007,28(9):1333-1336. |
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| 作者姓名： | 陈刚 李哲洋 柏松 任春江 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016 |
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| 摘 要： | 采用自主外延的4H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B 离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子n=1.08,势垒高度(ψe)=1.05eV,串联电阻为6.77mΩ·cm2,正向电压为4V时,电流密度达到430A/cm2.反向击穿电压大于1.1kV,室温下,反向电压为1.1kV时,反向漏电流为5.96×10-3 A/cm2.
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| 关 键 词： | 碳化硅 肖特基势垒二极管 理想因子 势垒高度 离子注入 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）09-1333-04 |
| 修稿时间： | 2007-03-29 |
Ti/4H-SiC Schottky Barrier Diodes with Field Plate and B+ Implantation Edge Termination Technology |
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| Chen Gang,Li Zheyang,Bai Song and Ren Chunjiang.Ti/4H-SiC Schottky Barrier Diodes with Field Plate and B+ Implantation Edge Termination Technology[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(9):1333-1336. |
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| Authors: | Chen Gang Li Zheyang Bai Song and Ren Chunjiang |
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| Affiliation: | National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China;National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China;National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China;National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H-SiC Schottky barrier ideal factor barrier height implantation |
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