首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

一种新型低开关噪声低过冲CMOS缓冲器的设计
引用本文:邓江,高兴国.一种新型低开关噪声低过冲CMOS缓冲器的设计[J].微电子学,2015,45(2):149-152.
作者姓名:邓江  高兴国
作者单位:中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
摘    要:通过分析CMOS缓冲器过冲及开关噪声的原理,提出了一种新型的低过冲、低开关噪声的缓冲器。该缓冲器采用两种驱动级并联,降低了开关噪声。部分输出级晶体管采用缓冲器结构,控制了输出过冲。该缓冲器简单有效,不需要引入反馈结构。采用0.6 μm CMOS工艺设计,经仿真验证,电路具有良好的低开关噪声和低过冲特性。

关 键 词:输出缓冲器    过冲    开关噪声    CMOS工艺
收稿时间:2014/1/22 0:00:00

Design of a Novel CMOS Output Buffer with Low Overshoot and Switching Noise
Affiliation:Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P. R. China and Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P. R. China
Abstract:
Keywords:
点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息
点击此处可从《微电子学》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号