一种自恢复容SEU锁存器的设计 |
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引用本文: | 吴悠然,梁华国,王志,闫爱斌,黄正峰.一种自恢复容SEU锁存器的设计[J].微电子学,2015,45(5):643-648. |
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作者姓名: | 吴悠然 梁华国 王志 闫爱斌 黄正峰 |
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作者单位: | 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 计算机与信息学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009 |
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摘 要: | 随着集成电路工艺水平的不断提高、器件尺寸的不断缩小以及电源的不断降低,传统的锁存器越发容易受到由辐射效应引起的软错误影响。为了增强锁存器的可靠性,提出了一种适用于低功耗电路的自恢复SEU加固锁存器。该锁存器由传输门、反馈冗余单元和保护门C单元构成。反馈冗余单元由六个内部节点构成,每个节点均由一个NMOS管和一个PMOS管驱动,从而构成自恢复容SEU的结构。在45 nm工艺下,使用Hspice仿真工具进行仿真,结果表明,与现有的加固方案FERST1]结构相比,在具备相同面积开销和单粒子翻转容忍能力的情况下,提出的锁存器不仅适用于时钟门控电路,而且节省了61.38%的功耗-延迟积开销。
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关 键 词: | 锁存器设计 反馈冗余单元 C单元 低功耗 软错误 |
收稿时间: | 2014/8/6 0:00:00 |
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