|
|||||
|
|
| 交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响 | |
| 引用本文： | 黄炜,付晓君,刘凡,刘伦才.交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响[J].微电子学,2015,45(1):145-148. |
| 作者姓名： | 黄炜 付晓君 刘凡 刘伦才 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
| 摘 要： | 介绍了交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响,重点分析了亚微米CMOS集成电路中交流应力下的热载流子效应、电迁移、栅氧化层介质击穿效应。通过与直流应力下器件可靠性的对比,分析交流信号与直流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性影响的差异。 |
| 关 键 词： | 可靠性 热载流子效应 电迁移 氧化层击穿 交流影响 |
| 收稿时间： | 2013/12/12 0:00:00 |
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《微电子学》下载全文 | |