交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响 |
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作者姓名: | 黄炜 付晓君 刘凡 刘伦才 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
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摘 要: | 介绍了交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响,重点分析了亚微米CMOS集成电路中交流应力下的热载流子效应、电迁移、栅氧化层介质击穿效应。通过与直流应力下器件可靠性的对比,分析交流信号与直流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性影响的差异。
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关 键 词: | 可靠性 热载流子效应 电迁移 氧化层击穿 交流影响 |
收稿时间: | 2013-12-12 |
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