| 4H-SiC MESFET新结构的特性研究 |
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| 引用本文： | 彭沛,陈勇. 4H-SiC MESFET新结构的特性研究[J]. 微电子学, 2015, 45(3): 404-407 |
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| 作者姓名： | 彭沛 陈勇 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054 |
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| 摘 要： | 提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型4H-SiC MESFET结构。在双凹型4H-SiC MESFET的栅漏之间加入浮空金属板,并引入阶梯沟道,减少了靠近漏端的栅边缘的电场积聚,提高了击穿电压。对提出的结构进行二维数值模拟,结果表明,该结构的击穿电压达到232 V,相对于双凹型4H-SiC MESFET的击穿电压103 V,提高了125%,其饱和漏电流相对提高了4.1%,截止频率为15.1 GHz,最大振荡频率为69.2 GHz。该结构在击穿电压提高125%时,没有严重降低截止频率。
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| 关 键 词： | 4H-SiC 金属半导体场效应晶体管 击穿电压 |
| 收稿时间： | 2014-04-30 |
Study on Characteristics of a New Structure of 4H-SiC MESFET |
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| PENG Pei and CHEN Yong. Study on Characteristics of a New Structure of 4H-SiC MESFET[J]. Microelectronics, 2015, 45(3): 404-407 |
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| Authors: | PENG Pei and CHEN Yong |
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| Affiliation: | School of Microelec. and Sol. Elec., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chendu 610054, P. R. China and School of Microelec. and Sol. Elec., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chendu 610054, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H-SiC MESFET Breakdown voltage |
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