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| SiGe HBT高频特性研究 | |
| 作者姓名： | 刘静 武瑜 高勇 |
| 作者单位： | 西安理工大学 电子工程系, 西安 710048,西安理工大学 电子工程系, 西安 710048,西安理工大学 电子工程系, 西安 710048 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61204094)；陕西省工业攻关资助项目(2014K08-30)；西安市科技计划资助项目(CXY1429(4))；河南工业大学基础研究重点培育计划资助项目(11JCYJ13) |
| 摘 要： | 从器件结构、工艺条件等方面,对影响SiGe HBT高频特性的因素进行对比分析,并在此基础上,对提高SiGe HBT频率特性的方法进行了总结归纳。渡越时间受温度改变影响,SiGe HBT的高频性能在低温下提高。多种形状的基区Ge分布影响基区渡越时间,对提高频率起关键作用。降低工艺温度能有效减小杂质扩散,优化频率。采用新结构以减小发射极电阻,或增加工艺隔离步骤以抑制寄生参数,均可提高频率。 |
| 关 键 词： | SiGe HBT 频率 Ge分布 低温工艺 |
| 收稿时间： | 2013-07-03 |
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