| SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究 |
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| 作者姓名： | 徐小波 王晓艳 李艳波 胡辉勇 葛建华 |
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| 作者单位： | 长安大学 电子与控制工程学院, 西安 710064;西安电子科技大学 通信工程学院 ISN国家重点实验室, 西安 710071,长安大学 电子与控制工程学院, 西安 710064,长安大学 电子与控制工程学院, 西安 710064,西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带教育部重点实验室, 西安 710071,西安电子科技大学 通信工程学院 ISN国家重点实验室, 西安 710071 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金资助项目(2013M540732)；陕西省自然科学基金资助项目(2014JQ8344) |
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| 摘 要： | 根据器件实际工作情况,找出SOI器件与传统器件的不同,建立并研究了SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型。结果表明,模型与集电区掺杂浓度、集电结偏置电压、传输电流有关,电流的增加恶化了渡越时间,进一步恶化了器件性能。所建模型与仿真结果一致。SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型的建立和扩展为SOI BiCMOS工艺的核心参数,如特征频率的设计,提供了有价值的参考。
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| 关 键 词： | HBT 渡越时间 绝缘体上硅 |
| 收稿时间： | 2015-01-04 |
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