| 基于C单元反馈回路的容SEU锁存器设计 |
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| 引用本文： | 黄正峰,彭小飞,鲁迎春.基于C单元反馈回路的容SEU锁存器设计[J].微电子学,2015,45(2):178-183. |
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| 作者姓名： | 黄正峰 彭小飞 鲁迎春 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61106038,61274036,61371025)；博士点基金资助项目(20110111120012)；合肥工业大学科学研究发展基金资助项目(2013HGXJ0197) |
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| 摘 要： | 随着电子技术的不断发展,集成电路的特征尺寸不断缩小,导致电路对宇宙高能粒子引发的单粒子翻转愈发敏感。提出了一种对单粒子翻转完全免疫的抗辐射加固锁存器。该锁存器利用具有过滤功能的C单元构建反馈回路,并在锁存器末端使用钟控C单元来阻塞传播至输出端的软错误。HSPICE仿真结果显示,在与TMR锁存器同等可靠性的情况下,该锁存器面积下降50%,延迟下降92%,功耗下降47%,功耗延迟积下降96%。
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| 关 键 词： | 单粒子翻转 锁存器 C单元 软错误 |
| 收稿时间： | 2014/4/3 0:00:00 |
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