| 超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究 |
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| 引用本文： | 王卓,周锌,陈钢,杨文,庄翔,张波.超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究[J].微电子学,2015,45(6):812-816. |
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| 作者姓名： | 王卓 周锌 陈钢 杨文 庄翔 张波 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2013J043)；国家重点实验室开放课题(KFJJ201203) |
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| 摘 要： | 针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644 V,比导通电阻为24.1 Ω·mm2,击穿时埋氧层电场超过200 V/cm。
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| 关 键 词： | 超薄SOI层 线性变掺杂 高压LDMOS 耐压模型 RESURF |
| 收稿时间： | 2014/10/24 0:00:00 |
Investigation on Breakdown Model and Characteristics for Ultra-ThinLayer High Voltage SOI LVD LDMOS |
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| WANG Zhuo,ZHOU Xin,CHEN Gang,YANG Wen,ZHUANG Xiang and ZHANG Bo.Investigation on Breakdown Model and Characteristics for Ultra-ThinLayer High Voltage SOI LVD LDMOS[J].Microelectronics,2015,45(6):812-816. |
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| Authors: | WANG Zhuo ZHOU Xin CHEN Gang YANG Wen ZHUANG Xiang and ZHANG Bo |
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| Affiliation: | State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China,State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China,State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China,State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China,State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China and State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China |
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