| 双极晶体管ELDRS实验及数值模拟 |
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| 引用本文： | 刘敏波,陈伟,何宝平,黄绍艳,姚志斌,盛江坤,肖志刚,王祖军. 双极晶体管ELDRS实验及数值模拟[J]. 微电子学, 2015, 45(2): 262-266, 270 |
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| 作者姓名： | 刘敏波 陈伟 何宝平 黄绍艳 姚志斌 盛江坤 肖志刚 王祖军 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024,西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024,西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024,西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024,西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024,西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024,西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024,西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024 |
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| 摘 要： | 对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律；建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半导体模拟软件模拟了载流子在氧化层中的输运、捕获及释放等物理过程,得到了NPN晶体管基极电流随总剂量和剂量率的变化规律。结果表明,双极晶体管在不同剂量率下表现出低剂量率辐射损伤增强效应,主要是因为高剂量率和低剂量率下晶体管基区氧化层内产生的氧化物陷阱电荷所形成的空间电场不同。
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| 关 键 词： | 双极晶体管 低剂量率 氧化物陷阱电荷 空间电场 |
| 收稿时间： | 2013-09-29 |
Experimental and Numerical Simulation on Enhanced Low Dose Rate Sensitivity of Bipolar Transistors |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi''an 710024, P. R. China,State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi''an 710024, P. R. China,State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi''an 710024, P. R. China,State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi''an 710024, P. R. China,State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi''an 710024, P. R. China,State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi''an 710024, P. R. China,State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi''an 710024, P. R. China and State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi''an 710024, P. R. China |
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