| 一种高CMRR高增益运算放大器的设计 |
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| 引用本文： | 何泽炜,郭俊,张国俊.一种高CMRR高增益运算放大器的设计[J].微电子学,2015,45(4):457-460. |
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| 作者姓名： | 何泽炜 郭俊 张国俊 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054 |
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| 摘 要： | 设计了一种基于TSMC 0.5 μm工艺的高共模抑制比、高增益运算放大器。针对该运放的结构,提出了相应的频率补偿方法,使得电路具有较好的稳定性。该运放可用于生物电势信号检测等对共模抑制比要求较高的场合。仿真结果表明,电路的共模抑制比高达137 dB,低频增益为117 dB,单位增益带宽为6.36 MHz,功耗仅为227 μW。
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| 关 键 词： | 高共模抑制比 高增益 运算放大器 频率补偿 |
| 收稿时间： | 2014/5/20 0:00:00 |
Design of a High CMRR High Gain Operational Amplifier |
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| HE Zewei,GUO Jun and ZHANG Guojun.Design of a High CMRR High Gain Operational Amplifier[J].Microelectronics,2015,45(4):457-460. |
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| Authors: | HE Zewei GUO Jun and ZHANG Guojun |
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| Affiliation: | State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev.,Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China,State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev.,Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China and State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev.,Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | High CMRR High gain Operational amplifier Frequency compensation |
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