首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
国内氮化镓半导体材料及应用专利布局现状
摘 要:
正氮化镓(GaN)半导体材料作为第3代半导体的核心材料,自20世纪90年代开始用于LED显示领域,目前已广泛应用于普通照明及显示领域。而从2010年第1个GaN功率器件投入市场后,GaN功率器件又逐渐成为半导体功率器件主流。2021年随着各国5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升,
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号