| 栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响 |
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| 引用本文： | 季启政,刘峻,杨铭,马贵蕾,胡小锋,刘尚合.栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响[J].电子学报,2023(6):1486-1492. |
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| 作者姓名： | 季启政 刘峻 杨铭 马贵蕾 胡小锋 刘尚合 |
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| 作者单位： | 1. 陆军工程大学石家庄校区电磁环境效应重点实验室;2. 北京卫星环境工程研究所;3. 南京信息工程大学电子与信息工程学院;4. 北京东方计量测试研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.61904007）~~； |
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| 摘 要： | 制备了不同栅极宽度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，通过测量各器件电容-电压曲线和转移特性曲线，得到了栅沟道载流子输运特性以及亚阈值摆幅，结果显示当栅极宽度从10μm增加到50μm时，亚阈值摆幅下降了40.3%.定性且定量地分析了亚阈值摆幅值随栅极宽度变化的原因，发现不同的栅极宽度对应不同的极化散射强度，亚阈值摆幅的变化是由栅沟道载流子输运特性和极化散射效应造成的.为AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管开关性能优化提供了新的视角与维度，将促进其更好地应用于无线通信、电力传输以及国防军工领域.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 亚阈值摆幅 极化 散射 |
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