| 集成DBR反馈区的1.3μm高速直接调制InGaAlAs/InP DFB激光器 |
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| 引用本文： | 朱旭愿,剌晓波,郭竟,李振宇,赵玲娟,王圩,梁松.集成DBR反馈区的1.3μm高速直接调制InGaAlAs/InP DFB激光器[J].中国激光,2023(10):35-41. |
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| 作者姓名： | 朱旭愿 剌晓波 郭竟 李振宇 赵玲娟 王圩 梁松 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;2. 中国科学院大学材料与光电研究中心;3. 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划（2018YFB2200801）； |
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| 摘 要： | 研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器，单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。室温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大于29 GHz。在速率为25 Gbit/s的非归零(NRZ)码数据调制下，光信号经10 km长的单模光纤传输后获得10-10误码率的功率代价在室温及80℃下均小于1 dB。激光器的有源区长度较大，有利于提高发光效率并且有助于减小电流热效应的不利影响。所研制的高速直接调制激光器是大容量短距光纤通信系统的理想光源，具有广阔的应用前景。
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| 关 键 词： | 激光器 半导体激光器 高速直接调制 InGaAlAs/InP量子阱 1.3μm波段 |
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