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| 宽温度锁定808 nm激光器阵列 | |
| 引用本文： | 张娜玲,王翠鸾,熊聪,朱凌妮,李伟,刘素平,马骁宇,赵鑫,马晓辉.宽温度锁定808 nm激光器阵列[J].中国激光,2023(5):22-27. |
| 作者姓名： | 张娜玲 王翠鸾 熊聪 朱凌妮 李伟 刘素平 马骁宇 赵鑫 马晓辉 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院;3. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 |
| 摘 要： | 为了提高808 nm激光器对固体激光器的泵浦效率，对其波长稳定性进行了研究。阐述了光栅设计的理论基础。将纳米压印、干法刻蚀及湿法腐蚀工艺相结合，制备了含有一阶光栅的808 nm分布反馈（DFB）激光器阵列。在准连续条件（脉宽为200μs，频率为20 Hz）下对所制备的激光器进行性能测试。测试结果表明：所制备的808 nm DFB激光器阵列的发射波长随温度的漂移系数为0.06 nm/℃，温度锁定范围可达70℃（-10～60℃），随电流的漂移系数为0.006 nm/A。 |
| 关 键 词： | 激光器 锁定 808 nm 激光器阵列 一阶光栅 |