| 湿法刻蚀调节分裂栅存储器的浮栅层形貌研究 |
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| 引用本文： | 巩晨,王新泽,张荣跻,刘敏,马一楠,刘轩,阎海涛,毛海央.湿法刻蚀调节分裂栅存储器的浮栅层形貌研究[J].微电子学,2020,50(4):574-578. |
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| 作者姓名： | 巩晨 王新泽 张荣跻 刘敏 马一楠 刘轩 阎海涛 毛海央 |
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| 作者单位： | 中国科学院大学, 北京 100029;中芯国际集成电路制造有限公司, 北京 100176 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61771467)；中国科学院青年创新促进会资助项目(2018153) |
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| 摘 要： | 随着分裂栅存储器器件尺寸的不断减小,理想浮栅层形貌的获得越来越具有技术挑战性。在实际生产过程中,经常会发生浮栅层存在空洞缺陷的问题。结合第三代分裂栅存储器40 nm浮栅层制造工艺,分析了浮栅层出现空洞的原因。在分步刻蚀的工艺流程下,对磷酸使用两次小换酸的方式,解决了浮栅层存在空洞缺陷的问题。通过工艺优化,得到理想浮栅层形貌所需要的湿法刻蚀工艺中磷酸和氢氟酸的使用量。
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| 关 键 词： | 分裂栅存储器 湿法刻蚀 分步刻蚀 磷酸换酸方式 |
| 收稿时间： | 2019/8/14 0:00:00 |
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