| 高k HfLaO栅介质MoS2晶体管的性能研究 |
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| 引用本文： | 邹霁玥,汪礼胜.高k HfLaO栅介质MoS2晶体管的性能研究[J].微电子学,2020,50(4):564-568. |
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| 作者姓名： | 邹霁玥 汪礼胜 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学 信息工程学院, 武汉 430070;武汉理工大学 理学院, 武汉 430070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51702245) |
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| 摘 要： | 比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管。实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优的电性能。电流开关比高达1×108,亚阈斜率低至76 mV/dec,界面态密度低至1.1×1012 cm-2·eV-1,载流子场效应迁移率高达1×109 cm2·V-1·s-1。性能改善的原因在于镧(La)对HfO2的掺杂形成HfLaO化合物,减小栅介质薄膜的表面粗糙度,降低缺陷电荷密度,改善了栅介质/沟道界面特性,从而减小了界面态密度,抑制了库仑散射和界面粗糙散射。最终,提高了多层MoS2晶体管的场效应迁移率,改善了晶体管的亚阈特性。
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| 关 键 词： | 多层二硫化钼 氧化镧铪 场效应晶体管 高k栅介质 |
| 收稿时间： | 2020/1/2 0:00:00 |
Study on Multilayer MoS2 Transistors with La-Doped HfO2 High-k Gate Dielectric |
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| ZOU Jiyue,WANG Lisheng.Study on Multilayer MoS2 Transistors with La-Doped HfO2 High-k Gate Dielectric[J].Microelectronics,2020,50(4):564-568. |
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| Authors: | ZOU Jiyue WANG Lisheng |
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