| GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响 |
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| 引用本文： | 包军林,庄奕琪,杜磊,马仲发,李伟华,李聪.GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响[J].红外与毫米波学报,2006,25(1). |
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| 作者姓名： | 包军林 庄奕琪 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;国家预研基金;国防重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.
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| 关 键 词： | 红外发光二极管 1/f噪声 功率老化 陷阱 |
EFFECTS OF POWER AGING ON 1/f NOISE CHARACTERISTICS FOR GaAlAs IR LED |
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| BAO Jun-Lin,ZHUANG Yi-Qi,DU Lei,MA Zhong-Fa,LI Wei-Hua,LI Cong.EFFECTS OF POWER AGING ON 1/f NOISE CHARACTERISTICS FOR GaAlAs IR LED[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2006,25(1). |
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| Authors: | BAO Jun-Lin ZHUANG Yi-Qi DU Lei MA Zhong-Fa LI Wei-Hua LI Cong |
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| Keywords: | infrared LED 1/f noise power aging traps |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
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