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| CdZnTe晶体生长条件的选取 | |
| 引用本文： | 王东,钱冰,刘宗正.CdZnTe晶体生长条件的选取[J].红外与激光工程,1988(4). |
| 作者姓名： | 王东 钱冰 刘宗正 |
| 作者单位： | 航空航天工业部三院八三五八所，航空航天工业部三院八三五八所，航空航天工业部三院八三五八所 |
| 摘 要： | 本文通过理论分析和计算,给出了生长CdZnTe晶体的优选生长条件,实验结果表明,用该生长条件制备出质量较好的CdZnTe晶体,晶锭表面光亮,无孔洞气泡等宏观缺陷,含单晶率≥30％,位错密度≤10~4cm~(-2),最大红外透过率～65％。 |
| 关 键 词： | 碲锌镉 晶体生长 |
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