| Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究 |
| |
| 引用本文： | 杨红官,施毅,卜惠明,吴军,赵波,张荣,沈波,韩平,顾书林,郑有炓. Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究[J]. 固体电子学研究与进展, 2001, 21(1): 63-68 |
| |
| 作者姓名： | 杨红官 施毅 卜惠明 吴军 赵波 张荣 沈波 韩平 顾书林 郑有炓 |
| |
| 作者单位： | 南京大学物理系，固体微结构国家重点实验室，210093 |
| |
| 基金项目： | 国家教育部博士点专项基金，江苏省自然科学基金! (No.BK990 49)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 这一研究工作模拟计算了 Ge/ Si复合纳米结构 MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明 ,Ge/ Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现 μs和 ns量级编程。与 Si纳米结构存储器相比 ,由于 Ge/ Si复合势阱的作用 ,器件的电荷保留时间提高了 3～ 5个量级 ,有效地解决了快速擦写编程与长久存储之间的矛盾 ,使器件的性能得到明显改善。
|
| 关 键 词： | 锗/硅 纳米结构 存储器 数值模拟 |
| 文章编号： | 1000-3819(2001)01-0063-06 |
| 修稿时间： | 2000-04-30 |
Simulation Study on Charge Storage Characteristics of Ge/Si Nanocrystal Memory |
| |
| YANG Hongguan. Simulation Study on Charge Storage Characteristics of Ge/Si Nanocrystal Memory[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2001, 21(1): 63-68 |
| |
| Authors: | YANG Hongguan |
| |
| Abstract: | In this work, the write/erase and retention times of Ge/Sinanocrystal MOSFET memory are simulated numerically. It is demonstrated that the proposed device can achieve the programming in the order of μs or ns at low voltage. Owing to the hetero-energy bands, compared with Si nanocrystal memory, the retention time of the device is increased to 3～5 orders. The trade-off between the speed programming and long retention can be efficiently solved, and the performance is substantially improved. |
| |
| Keywords: | Ge/Si nanostructures memory simulation |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
