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不同沉积速率微晶硅薄膜生长模式的蒙特卡洛模拟研究
引用本文:王志永,朱志立,谷锦华,丁艳丽,卢景霄.不同沉积速率微晶硅薄膜生长模式的蒙特卡洛模拟研究[J].真空科学与技术学报,2010,30(6).
作者姓名:王志永  朱志立  谷锦华  丁艳丽  卢景霄
基金项目:国家重点基础研究发展计划项目,河南省自然科学基金
摘    要:采用标度理论比较了不同速率下微晶硅薄膜的生长模式。结果是:低速时薄膜的生长指数为0.19,高速时薄膜的生长指数为0.61,两者生长机理明显不同。通过蒙特卡洛模拟薄膜生长过程,结果表明:生长基元的粘附系数和扩散能力对不同生长速率下薄膜的生长有较大的影响。

关 键 词:蒙特卡洛模拟  微晶硅薄膜  椭偏谱仪  生长模式

Simulation of Microcrystalline Si Film Growth at Varying Deposition Rates
Wang Zhiyong,Zhu Zhili,Gu Jinhua,Ding Yanli,Lu Jingxiao.Simulation of Microcrystalline Si Film Growth at Varying Deposition Rates[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2010,30(6).
Authors:Wang Zhiyong  Zhu Zhili  Gu Jinhua  Ding Yanli  Lu Jingxiao
Abstract:
Keywords:
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