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| Si_3N_4栅氢离子敏感场效应晶体管性能研究 | |
| 作者姓名： | 刘健 张燕平 谢小明 马传云 |
| 作者单位： | 北京电子管厂(刘健，张燕平，谢小明)，北京电子管厂(马传云) |
| 摘 要： | <正> 我们采用疏水性和化学稳定性好且易于制作的Si_3N_4作H~+—ISFET敏感材料,对Si_3N_4栅H~+—ISFET的电化学性能进行了较为仔细的测试工作,针对目前离子敏感器件普遍存在的温漂、时漂、重复性差等问题作了一定的试验工作。 Si_3N_4栅H~+—ISFET的管芯制作采用半导 |
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