| 氧化锌n型导电机理研究进展 |
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| 引用本文： | 郭保智,刘永生,房文健,徐娟,武新芳,彭麟. 氧化锌n型导电机理研究进展[J]. 硅酸盐通报, 2014, 33(1): 107-111 |
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| 作者姓名： | 郭保智 刘永生 房文健 徐娟 武新芳 彭麟 |
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| 作者单位： | 上海电力学院太阳能研究所,上海,200090 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11374204);上海市科委重点项目(12JC1404400,11160500700) |
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| 摘 要： | 氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用.制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确.本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响.
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| 关 键 词： | 氧化锌 n型导电 本征缺陷 非故意掺杂, |
Research Progress on Conductive Mechanism of n-type ZnO |
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| GUO Bao-zhi,LIU Yong-sheng,FANG Wen-jian,XU Juan,WU Xin-fang,PENG Lin. Research Progress on Conductive Mechanism of n-type ZnO[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2014, 33(1): 107-111 |
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| Authors: | GUO Bao-zhi LIU Yong-sheng FANG Wen-jian XU Juan WU Xin-fang PENG Lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO n-type conductivity native defect unintentionally incorporated, |
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