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| 半导体材料 | |
| 摘 要： | Y98-61460-75 9914816作为红外肖特基探测器的 P 型硅上的硅-锗-硼无定形合金=Silicon-germanium—boron amorphous alloy on p-type Si as infrared chottky detector会,英]/Gomez,J.G.S.& Jacome.A.T.//1998 IEEE 2nd InternationalCaracas Conference on Devices.Circuits and Systems.——75～78(YG)本文提出了作为光发射红外光探测器的由 P-Si上 SiGeB 合金得到的肖特基势垒,SiGeB 合金由300℃光增强化学汽相淀积(PECVD)得到,源气体用了SiH_4、GeF_4和 B_2H_6,得出的淀积于 P-Si 上的势垒高度 |
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