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溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电性能的研究
引用本文:袁红梅,林祖伦,陈文彬,韦新颖. 溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电性能的研究[J]. 电子器件, 2010, 33(1): 5-9
作者姓名:袁红梅  林祖伦  陈文彬  韦新颖
作者单位:电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054
摘    要:采用溶胶-凝胶工艺,用提拉法在玻璃基底上制备了ITO透明导电薄膜。使用四探针测试仪和紫外可见光分光光度计测量薄膜的方阻和透过率,并采用XRD、SEM等测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征。结果表明,掺锡比例和热处理温度对薄膜的导电性具有重要影响,在掺Sn量为15%(原子分数比)、450℃热处理时薄膜的方阻最小;薄膜的透过率曲线随掺锡比例的增加向紫外方向移动。随着热处理时间、镀膜层数的增加,薄膜的方阻先减小,最后趋于一稳定值,在可见光范围内薄膜的透过率变化较小。

关 键 词:ITO  溶胶-凝胶  方阻  透过率

Electrical and Optical Properties of ITO Films Prepared by the Sol-Gel Method
YUAN Hongmei,LIN Zulun,CHEN Wenbin,WEI Xinying. Electrical and Optical Properties of ITO Films Prepared by the Sol-Gel Method[J]. Journal of Electron Devices, 2010, 33(1): 5-9
Authors:YUAN Hongmei  LIN Zulun  CHEN Wenbin  WEI Xinying
Affiliation:School of Optoelectronic Information;University of Electronic Science Technology of China;Chengdu 610054;China
Abstract:
Keywords:ITO  sol-gel  sheet resistance  transmittance  
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