β—FeSi2和β—Fe（C,Si）2薄膜的电子显微及X射线衍射研究

本利用X射线衍射和透射电子显微镜对离子注入合成的β－Fe(C,Si)2薄膜进行了研究，对掺杂C前后样品的对比研究表明，选择C作为掺杂元素，能够得到界面平直，厚度均一的高质量β相薄膜，晶粒得到细化，β－FeSi2层稳定性提高，因此从微结构角度考虑，引入C离子对于提高β－FeSi2薄膜的质量是很有益处的，进一步进行光学吸收表征，发现C离子的引入对β层的Eg^d值没有产生明显影响，所以综合来说C离子的引入有利于得到高质量的β－FeSi2薄膜，用掠入射X射线衍射和Celref程序精确地测量薄膜的晶格常数，当C／Fe的剂量比为0．5％时，尽管C的原子半径比Si的小，β相晶格却膨胀了，这可能是由于间隙固溶的原因，进一步增加掺杂量到一定的程度时，单胞体积会缩小，这是由于形成了置换固溶体，碳置换了β单胞中的部分硅。