| 铌酸钾半导瓷的烧结及其电性能 |
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| 引用本文： | 丁盛平 黄仲臧. 铌酸钾半导瓷的烧结及其电性能[J]. 无机材料学报, 1989, 4(1): 59-64 |
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| 作者姓名： | 丁盛平 黄仲臧 |
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| 作者单位： | 同济大学测试中心(丁盛平)，中国科学院上海硅酸盐所(黄仲臧)，上海科技大学材料系(沈嘉祺)，中国科学院上海硅酸盐所(殷文之) |
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| 摘 要： | 通过在 KNbO_3合成料中添加钾锗玻璃的方法,烧结后得到了 KNbO_3半导瓷,其样品有较大电阻率,并在 KNbO_3晶体的两个相变点附近发生 PTC 电阻反常。样品的制备工艺参数如烧结温度、保温时间等对其成瓷性能、电学性能和显微结构等均有影响。对样品所做的 SEM 和 TG 分析结果表明:在 KNbO_3陶瓷中,K_2O 在烧结温度下发生明显的挥发,样品中晶粒和晶粒之间含有较多气孔。KNbO_3材料的固有特性和成瓷特性使该半导瓷具有一些独特的电学性能。
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| 关 键 词： | 铌酸钾 半导瓷 烧结 |
Sintering and Electrical Properties of KNbO_3 Semiconducting Ceramics |
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| Ding Shengping. Sintering and Electrical Properties of KNbO_3 Semiconducting Ceramics[J]. Journal of Inorganic Materials, 1989, 4(1): 59-64 |
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| Authors: | Ding Shengping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | KNbO_3 Semiconducting ceramics Sintering |
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