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一维ZnO纳米结构的电子场发射研究
引用本文:丰平,万青,王太宏. 一维ZnO纳米结构的电子场发射研究[J]. 微纳电子技术, 2005, 42(7): 305-310
作者姓名:丰平  万青  王太宏
作者单位:中国科学院物理研究所,北京,100080
摘    要:在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。

关 键 词:一维纳米结构  电子场发射  纳米线  平板显示
文章编号:1671-4776(2005)07-0305-06
修稿时间:2005-01-28

Electron Field-Emission Investigation of One-Dimensional ZnO Nanostructures
FENG Ping,WAN Qing,WANG TAI-HONG. Electron Field-Emission Investigation of One-Dimensional ZnO Nanostructures[J]. Micronanoelectronic Technology, 2005, 42(7): 305-310
Authors:FENG Ping  WAN Qing  WANG TAI-HONG
Abstract:On the basis of mass production of different one-dimensional(1D)ZnO nanostructures,we investigated their field-emission properties.In order to gain the current density 1.0 mA/cm2,only the external electric field as low as 4.5 V/μm is needed for tetrapod-like ZnO 1D nanostructures,and 6.5 V/μm for ZnO nanowires.Our results demonstrated that tetrapod-like ZnO 1D nanostructures have potential application in the field of vacuum electron devices arising from the special structure.
Keywords:1D nanostructure  electron field-emission  nanowire  flat panel display  
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