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利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率
引用本文:王瑞峰,蔡伯荣,胡渝,洪永和,任文华. 利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率[J]. 中国激光, 1998, 25(1): 37-40
作者姓名:王瑞峰  蔡伯荣  胡渝  洪永和  任文华
作者单位:电子科技大学光电子技术系
基金项目:电子科学研究院预研基金
摘    要:采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变,即“光电压”信号作为频率标准,对InGaAsP长波长半导体激光器进行稳频。

关 键 词:InGaAsP半导体激光器,频率稳定性,放电吸收池,光电流效应
收稿时间:1996-07-25

Study of the Frequency Stabilization of InGaAsP Semiconductor Laser Using the Optogalvanic Effect of a Gas Absorption Cell
Wang Ruifeng Cai Borong Hu Yu Hong Yonghe Ren Wenhua. Study of the Frequency Stabilization of InGaAsP Semiconductor Laser Using the Optogalvanic Effect of a Gas Absorption Cell[J]. Chinese Journal of Lasers, 1998, 25(1): 37-40
Authors:Wang Ruifeng Cai Borong Hu Yu Hong Yonghe Ren Wenhua
Abstract:The preliminary result of the frequency stabilization of an InGaAsP semiconductor laser using the optogalvanic effect of a gas absorption cell is reported. The optogalvanic signal of the discharge absorption cell is used as a frequency standard.
Keywords:InGaAsP semiconductor laser   frequency stabilization   discharge absorption cell   optogalvanic effect  
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