| 自对准栅型谐振隧穿晶体管试制 |
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| 引用本文： | 齐海涛,冯震,李亚丽,张雄文,郭维廉. 自对准栅型谐振隧穿晶体管试制[J]. 高技术通讯, 2007, 17(11): 1153-1156 |
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| 作者姓名： | 齐海涛 冯震 李亚丽 张雄文 郭维廉 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津,300072;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 基金项目： | 国防重点实验室基金 , 中国博士后科学基金 |
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| 摘 要： | 针对谐振隧穿二极管(RTD)在通用电路应用中的局限性,提出并设计了自对准栅型谐振隧穿晶体管结构,进行了材料的分子束外延,采用传统湿法腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,初步研制出具有较明显栅控能力的谐振隧穿晶体管(RTT)单管,其峰值电流密度高达80.8 kA/cm2,峰谷电流比为3.6,负阻阻值在20Ω左右.研究还发现,器件的峰值电流随栅压增大而减小,谷值电流随栅压增大而增大,而且出现零点分离.这些现象与栅的纵向位置控制不当有关,可以通过减小栅间发射极宽度,缩短栅与势垒层距离,和减小发射层掺杂浓度得到改善.
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| 关 键 词： | 谐振隧穿晶体管(RTT) 负阻 自对准工艺 |
| 收稿时间： | 2007-04-18 |
| 修稿时间： | 2007-04-18 |
Fabrication of a resonant tunneling transistor with self-aligned gate |
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| Qi Haitao,Feng Zhen,Li Yali,Zhang Xiongwen,Guo Weilian. Fabrication of a resonant tunneling transistor with self-aligned gate[J]. High Technology Letters, 2007, 17(11): 1153-1156 |
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| Authors: | Qi Haitao Feng Zhen Li Yali Zhang Xiongwen Guo Weilian |
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