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| 武藏野通研用电子束技术试制256千位NMOSRAM | |
| 作者姓名： | 肖洪 |
| 摘 要： | <正> 日本电信电话公司武藏野电气通信研究所最近用电子束直接曝光技术研制了256千位动态 NMOS RAM,这个成果已在2月份美国举行的国际固体电路会议上发表。器件构成为256千字×1位,由5伏单一电源操作,采用16脚双列直插式封装,存贮器为每单元1个晶体管方式,采用1微米规范的工艺,单元尺寸为8.05×8.6微米~2。该器件的特点是:1)用电子束直接曝光代替过去的光刻方式,以实现微细图形的加工;2)在其他字线中用钼栅技术代替过去所用的多晶硅,以提高存取时间速率;3)采用为弥补缺陷而用的不良位的补救回路,使可靠性大大提高。器件特性是:存取时间100毫微秒, |
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