| 反铁磁性交换作用对稀磁半导体(DMS)居里温度的影响 |
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| 引用本文： | 胡作启,陈飞.反铁磁性交换作用对稀磁半导体(DMS)居里温度的影响[J].磁性材料及器件,2007,38(4):21-24. |
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| 作者姓名： | 胡作启 陈飞 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北武汉,430074 |
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| 摘 要： | DMS的居里温度与空穴载流子浓度有着极大的关系.基于局域空穴模型,本文定量地分析了反铁磁性交换作用对DMS居里温度的影响.结果表明反铁磁性交换作用对居里温度的影响与磁性离子浓度ni和空穴浓度nc的比值有着密切关系.当ni/nc＞10000时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响十分显著;当ni/nc＜10时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响将会明显减弱,随着空穴浓度的增加,空穴对反铁磁性交换作用有强的抑制作用.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 居里温度 反铁磁性交换作用 |
| 文章编号： | 1001-3830（2007）04-0021-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-17 |
Influence of Anti-ferromagnetic Exchange Interaction on the Curie Temperature of DMS |
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| HU Zuo-qi,CHEN Fei.Influence of Anti-ferromagnetic Exchange Interaction on the Curie Temperature of DMS[J].Journal of Magnetic Materials and Devices,2007,38(4):21-24. |
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| Authors: | HU Zuo-qi CHEN Fei |
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| Affiliation: | Department of Electric Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China |
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