肖特基收集极宽发射极GaAlAs/GaAs高速开关晶体管的试制及其性能

本文比较详细地述叙了一种新型器件,即肖特基砷化镓异质结双极型高速开关晶体管的设计原理、制作工艺和实验结果。本晶体管的主要特点是利用金属-半导体为收集结,因而从根本上消除了存贮时间t_s产生的原因,另外利用镓铝砷-砷化镓形成宽发射结可以在发射区中进行轻掺杂的特点,使器件的发射结电容C_(Te)大为降低,以达到缩短其它三个时间常数的目的。目前器件所达到的指标为: BV_(beo)=6V,h_(FE)=30,I_(cm)=70mA,f_(max)=500MHz(V_(ce)=1.5V,I_c=10mA)小信号时,脉冲上升时间和下降时间均为1.5ns。大信号测量表明,即使晶体管进入深饱和状态也观察不到贮存时间t_s。