首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

α-Al_2O_3-Si界面电子结构的研究
引用本文:沈清,林理彬.α-Al_2O_3-Si界面电子结构的研究[J].半导体学报,1986,7(3):248-253.
作者姓名:沈清  林理彬
作者单位:四川大学物理系 (沈清),四川大学物理系(林理彬)
摘    要:本文用DV-SCC-X_a方法计算了α-Al_2O_3晶体及Si界面的电子结构,给出了对真实界面的模拟计算方法,讨论了界面模型和计算结果,得出了与实验相符的Al_2O_3-Si界面的定量结果,如电导率、能隙、态密度等.

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号