| 硅全耗尽背照式光电二极管的光谱响应 |
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| 引用本文： | 董金珠,梁平治,江美玲.硅全耗尽背照式光电二极管的光谱响应[J].红外与激光工程,2009,38(1). |
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| 作者姓名： | 董金珠 梁平治 江美玲 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 摘 要： | 建立了一个预测硅全耗尽背照式光电二极管响应率的解析模型.分析了所加反偏压与光谱响应之间的关系,解出了硅全耗尽背照式光电二极管的响应率和器件各参数之间的关系,并根据选定参数值计算出了给定外加偏压下400～1 100 nm范围的光谱响应曲线,预测探测器光谱响应峰值在1μm,峰值响应率达到0.72 A/W.实测结果表明:器件峰值响应与预测一致,反偏压对响应率的影响与预测相同,即响应率随着反偏压的升高而增大.并且在各种反偏压下的光谱响应曲线形状与预测基本吻合,证明了建立的模型可以正确地预测器件性能.
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| 关 键 词： | 光谱响应 全耗尽 背照式 模型 |
Responsivity of fully depleted back illuminated silicon photodiode |
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| DONG Jin-zhu,LIANG Ping-zhi,JIANG Mei-ling.Responsivity of fully depleted back illuminated silicon photodiode[J].Infrared and Laser Engineering,2009,38(1). |
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| Authors: | DONG Jin-zhu LIANG Ping-zhi JIANG Mei-ling |
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| Affiliation: | 1.Shanghai Institute of Technical Physics;Chinese Academy of Sciences;Shanghai 200083;China;2.Graduate School of Chinese Academy of Sciences;Beijing 100039;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Responsivity Fully depleted Back illuminated Model |
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