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| LECGaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL2分布的影响 | |
| 引用本文： | 杨瑞霞,李光平.LECGaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL2分布的影响[J].半导体技术,1990(3):55-58. |
| 作者姓名： | 杨瑞霞 李光平 |
| 作者单位： | 河北工学院电气工程系 (杨瑞霞)，天津电子材料研究所 (李光平)，天津电子材料研究所(华庆恒) |
| 摘 要： | 用红外吸收、熔体KOH腐蚀和霍尔效应测量等方法测量了硅掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL_2浓度(EL_2])分布、位错密度分布、碳分布及硅分布发现掺硅和未掺杂样品中EL_2]分布和位借密度分布的对应关系不同。EL_2]分布与杂质和本征点缺陷分布有关。在实验结果的基础上讨沦了EL_2]分布不均匀性的机理。 |
| 关 键 词： | LEC GaAs 杂质 缺陷分布 EL分布 |
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